硅漂移探测器漂移电压数据
关键词
硅漂移探测器
漂移电压
工作特性
来源机构
中国科学院微电子研究所
摘要
本科技资源为硅漂移探测器的漂移电压数据，来源于本课题组2025年研制的硅漂移探测器。探测器在半导体测试仪上经过严格的电学测试，工作电压可在–150V时正常工作。在加工方法上，它运用了先进的半导体平面工艺，包括通过光刻技术定义精确的环形漂移电极，通过异质结进行选择性掺杂以形成内部电场，适用于高能物理实验、X射线探测等领域的数据分析。
学科分类
核科学技术
正在加载数据内容...
咨询评价