SDD暗态漏电流数据
关键词
硅漂移探测器
漏电流
能量分辨率
来源机构
中国科学院微电子研究所
摘要
硅漂移探测器的暗态漏电流数据来源于对已完成制备的器件，在无光照射、反向偏压下进行I-V特性测试。该数据的核心用途在于作为评估和诊断SDD制造工艺优劣、器件结构设计有效性的关键判据，低的暗电流是决定探测器能量分辨率核心指标的先决条件。
学科分类
核科学技术
正在加载数据内容...
咨询评价